| 产品分类 |
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MSB709-RT1G PDF |
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| 产品变化通告 |
Copper Wire Change 29/Oct/2009
Product Discontinuation 30/Sept/2011
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| 标准包装 |
1 |
| 系列 |
- |
| 晶体管类型 |
PNP
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| 电流 - 集电极 (Ic)(最大) |
100mA
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| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
45V
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| Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) |
500mV @ 10mA,100mA
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| 电流 - 集电极截止(最大) |
100nA
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| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) |
210 @ 2mA,10V
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| 功率 - 最大 |
200mW
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| 频率 - 转换 |
-
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| 安装类型 |
表面贴装
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| 封装/外壳 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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| 供应商设备封装 |
SC-59
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| 包装 |
剪切带 (CT)
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| 其它名称 |
MSB709-RT1GOSCT
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